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Global Power Technology-GPT G4S06506CT
| Artikelnummer: | G4S06506CT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | SemiQ |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 650V 13.8A TO252 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1+ | $3.90 |
| 10+ | $3.506 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
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Global Power Technology-GPT G4S06506CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments G4S06506CT.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 6 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse TO-252 Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Produkteigenschaften Eigenschaften Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Cut Tape (CT) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 50 µA @ 650 V Strom - Richt (Io) 13.8A Kapazität @ Vr, F 181pF @ 0V, 1MHz -
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